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Stochastic approach to the smart quantum confinement model in porous silicon 

Ramírez Porras, Arturo; Weisz, S. Z. (Surface Science 515 (2002) L509-L513, 2002)
A model that encompasses two approaches to explain the photoluminescence in p-type porous silicon is proposed. The model considers a stochastic distribution of nanocrystallite sizes within the porous matrix and explain the ...
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Estimation of Silicon Nanocrystalline Sizes from Photoluminescence Measurements of RF Co-Sputtered Si/SiO2 Films 

Ramírez Porras, Arturo; Fonseca, L. F.; Resto, O. (Materials Research Society Symposium Proceedings 737 (2003), 2003)
A stochastic distribution of nanocrystalline sizes model is applied to fit photoluminescence (PL) spectra of luminescent Si nanocrystals in a Si/SiO2 matrix synthesized by RF co-sputtering on the top of quartz substrates. ...
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Study of oxide bands in p-type porous silicon layers 

Rojas Fernández, Yoselin; Hernández López, María José; Ramírez Porras, Arturo (2019)
The interest in developing fast and reliable chemical and biochemical sensors in an inexpensive way is something that has attracted a lot of efforts in the last decades. One of the potential material candidates is ...

Vacuum treatment to stabilize oxidation at low temperature region in porous silicon 

Allen, Kevin; Pereira Cubillo, Juan Sebastián; Ramírez Porras, Arturo (2020)
Oxidation in porous silicon is studied for as-etched samples and samples subjected to high vacuum at room temperature. Attenuated Total Reflectance (ATR) measurements in infrared spectroscopy for temperatures ranging from ...

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Ramírez Porras, Arturo (4)
Allen, Kevin (1)Fonseca, L. F. (1)Hernández López, María José (1)Pereira Cubillo, Juan Sebastián (1)Resto, O. (1)Rojas Fernández, Yoselin (1)Weisz, S. Z. (1)Type
info:eu-repo/semantics/article (4)
Artículo científico (2)ProcedenceVicerrectoría de Investigación (4)Vicerrectoría de Docencia (2)... View MoreHas File(s)Yes (4)

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