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Study of oxide bands in p-type porous silicon layers 

Rojas Fernández, Yoselin; Hernández López, María José; Ramírez Porras, Arturo (2019)
The interest in developing fast and reliable chemical and biochemical sensors in an inexpensive way is something that has attracted a lot of efforts in the last decades. One of the potential material candidates is ...

Vacuum treatment to stabilize oxidation at low temperature region in porous silicon 

Allen, Kevin; Pereira Cubillo, Juan Sebastián; Ramírez Porras, Arturo (2020)
Oxidation in porous silicon is studied for as-etched samples and samples subjected to high vacuum at room temperature. Attenuated Total Reflectance (ATR) measurements in infrared spectroscopy for temperatures ranging from ...

Phototransport Properties of a-SiC:H Alloys 

Balberg, I.; Nery, Guillermo; Ramírez Porras, Arturo; Resto, O.; Weisz, S. Z.; Lubianiker, Y. (1995)
We report a study of the mobility-lifetime products of the two charge carriers in a-SiC:H alloys. The measurements were carried out as a function of the carbon concentration and the temperature. An analysis, relying on the ...

Relation between Luminescence and Electronic Surface Characteristics in p-type Porous Silicon 

Weisz, S. Z.; Ramírez Porras, Arturo; Gómez, Manuel; Many, A.; Goldstein, Yehuda; Savir, Esther (1997)
Measurements of photoluminescence, electronic surface states and effective surface area, at various stages of the anodization process, are presented. The results show a behavior different from that observed on n-type porous Si.

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Ramírez Porras, Arturo (4)
Weisz, S. Z. (2)Allen, Kevin (1)Balberg, I. (1)Goldstein, Yehuda (1)Gómez, Manuel (1)Hernández López, María José (1)Lubianiker, Y. (1)Many, A. (1)Nery, Guillermo (1)... View MoreType
info:eu-repo/semantics/article (4)
ProcedenceVicerrectoría de Docencia (4)Vicerrectoría de Investigación (2)... View MoreHas File(s)Yes (4)

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