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dc.creatorMarín Naranjo, Luis Diego
dc.date2011-07-01
dc.date.accessioned2016-05-03T15:10:35Z
dc.date.available2016-05-03T15:10:35Z
dc.identifierhttp://revistas.ucr.ac.cr/index.php/ingenieria/article/view/7604
dc.identifier10.15517/ring.v2i1.7604
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10669/24564
dc.descriptionLa tecnología del LASER Semiconductor o Diodo LASER se ha vuelto muy especializada. Los primeros diodos LASER se hicieron para uso general con un empaque similar a las carcazas metálicas de los transitores estándar. Algunos diodos LASER de próposito general todavían se hacen, pero la mayoría se construyen y empacan con alguna aplicación específica en mente. Se han diseñado y fabricado en años recientes muchas estructuras diferentes de LASER semiconductor con el fin de incrementar la potencia óptica de salida. Algunos grupos han reportado el desarrollo de arreglos de dispositivos LASER capaces de producir cientos de miliwats de potencia (1,2). De hecho, la mayoría de la investigación actual en el área de los diodos LASER de alta potencia parece dirigida hacia los arreglos LASER. En este documento se revisa brevemente los tipos de estructuras básicas de los diodos LASER de inyección y se discuten los principios de operación de alta potencia. Se hace énfasis en el desarrollo de diodos LASER semiconductores de franja amplia como una alternativa a los emisores de arreglo en fase dando una alta potencia óptima en onda continua. Finalmente, se reporta acerca de un LASER de inyección de franja ancha tipo GRIN-SCH que ha sido recientemente fabricado en "The Center for High Technology Materials, University of New Mexico", Albuquerque, New Mexico, E.U., donde estudié mi posgrado y trabajé en investigación.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherUniversidad de Costa Ricaen-US
dc.rightsCopyright (c) 2014 Revista Ingenieríaen-US
dc.sourceJournal of Tropical Engineering; Vol 2, No 1 (1992)en-US
dc.sourceRevista Ingeniería; Vol 2, No 1 (1992)es-ES
dc.sourceIngeniería; Vol 2, No 1 (1992)pt-PT
dc.source2215-2652
dc.source1409-2441
dc.titleDiodos láser de alta potenciaes-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion


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